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元件参数资料
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参数目录49469
> SIA914DJ-T1-GE3 MOSFET DL N-CH 20V PPAK SC70-6
型号:
SIA914DJ-T1-GE3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET DL N-CH 20V PPAK SC70-6
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
SIA914DJ-T1-GE3 PDF
产品目录绘图
Mosfet SC70-6, SC75-6 Package
特色产品
Power MOSFETs in PowerPAK? SC-70 Package
标准包装
1
系列
-
FET 型
2 个 N 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
53 毫欧 @ 3.7A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
11.5nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds
400pF @ 10V
功率 - 最大
1.9W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
PowerPAK? SC-70-6 双
供应商设备封装
PowerPAK? SC-70-6 双
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1663 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
SIA914DJ-T1-GE3CT
查看SIA914DJ-T1-GE3代理商
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